在双大t§士革技术中提过，隔开两层金属的介质是二氧化硅然而，对于高性能电路，AD8007AKS-REEL7这种材料存在一个问题。金属电阻(R)和电容(C)的联合作用就会使集成电路的信号变慢，这称为系统的RC常量。对电容因素的一个主要贡献是用于隔离金属层间的材料的介电常数，该层称为中间金属介质( IMD)。

   氧化硅的介电常数（”是3.9左右。根据SIA的国际半导体技术路线图，成功的电路要求矗值低至1.5~ 2.0的范围内。除了介电特性外，IMD还必须有一些化学和机械的特性，包括热稳定性（随后的金属I艺能带着原来的膜通过一些高达450℃的热过程）、好的刻蚀选择性、无针孔、对耐受芯片应力足够的适应性和与其他工艺的可匹配性。

   人们已经开发了一些低七介质材料以满足ULSI电路的需要。图13. 15中列出了这些材料及其介电常数，主要分类是氧化硅基材料、有机基和它们的变种。基于PAE[ poly( alylene)thers]或HOSP( hydrido-organic siloxane polymers)的有机材料具有可以旋转涂敷(spin-on)的优势旋转涂敷工艺提供_『优异的均匀性和平坦性，并比CVD工艺成本更低：