增加芯片密度能够在晶圆表面放置更多的元件，这实际上就减少了表面连线的可用空间。HIN238IB这个两难的问题的解决方法就是利用有2～4层独立金属层（见图13.2）的多层金属结构。国际半导体技术路线图( ITRS)预测到2020年金属层将达到15~20层1i。图13.3显示了一个典型的两层全属的堆叠结构。这种堆叠结构的底部是在硅表面形成的硅化物阻挡层( barrier layer)，这有利于降低硅表面和上层之间的阻抗。如果铝作为导电材料的话，阻挡层也能够阻止铝和硅形成合金。接下来是一层介质材料层，可称之为金属间介质层（Intermetallic Dielectric Layer，IDL或IMD），它在两个金属层之间提供电绝缘作用。这种介质材料可能是淀积的氧化物、氮化硅或聚酰亚胺膜。这一层需要进行光刻以形成新的连接孔，这些连接孑L称为通孔( via)或塞(plug)，它们下到第一层金属。在这些连接孔中淀积导电的材料，就可以形成导电的塞，、紧接着，第一层的金属层被淀积并进行图形化工艺。在以后的工艺中，重复IM D/塞／金属淀积或图形化j二艺，就形成f多层金属系统。多层金属系统更昂贵，良品率较低，同时需要尽量使晶圆表面和中间层平坦化，才能制造出比较好的载流导线。