淀积薄膜中最常用的方法是CVD，其在器件或电路中的作用为绝缘体或绝缘介质，应用HCPL4504-500E广泛的两种薄膜是二氧化硅和氮化硅，通常，‘在器件和电路的设计中，它们的用途具有多样性。虽然存在工艺和质量上的差异，但它们可以满足与其他淀积膜类似的综合性要求。

   二氧化硅

   淀积的二氧化硅膜是作为覆盖整个晶圆的最终一层钝化膜，这一点在长期的应用中已成为共识。作为钝化膜，它们起到对电路器件和组件的物理及化学性能上的保护。

   人们熟知的用来作为顶层保护层的淀积二氧化硅膜有Vapox，Pyrox或Silox等术语。Vapox（气相淀积的氧化膜）是由仙童(Fairchild)公司工程师创造的术语。Pyrox代表Pyroliti‘‘氧化物。Silox是应用材料(Applied Materials)公司注册的商标，有时该层简称为玻璃。随着保护作用的扩展，在多层金属结构中，淀积的二氧化硅作为多层金属设计中的中间绝缘层、多晶硅和金属之间的绝缘层、掺杂阻挡层，以及扩散源隔离区域。二氧化硅已经成为硅一栅结构中的主要组成部分。

   有由热氧化物或二氧化硅或氮氧化物／二氧化硅（采用TEOS淀枳）组成的栅堆叠和在多层金属设计中的连接孔的各种二氧化硅填充29 。