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外延硅

发布时间:2015/11/7 22:27:30 访问次数:1191

   外延( epitaxial)一词来源于希腊文,意为“安排在上面”。在半导体技术中,GS7966-424-116BBZ指薄膜的单晶结构。在CVD反应室内,硅原子被淀积在裸露的晶圆上,形成单晶结构(见图12. 27)。,当对化学反应剂进行有效控制,并且正确设置了系统的参数时,具有足够能量的淀积原子到达晶圆表面,并在其表面游动,将自身调整到与晶圆原子的晶体方向相一致。这样,淀积在<111>晶向的晶圆上便生长成<111>晶向的外延层。

       

   外延薄膜匡至基苇量蒌至薹至要晶器皋构

   另外,如果晶圆的表面有一层薄的二氧化硅、非晶态层表面或污染物‘22,则会影响淀积原子的正确定位,结果导致薄膜结构为多晶硅。这种情形可在某些方面,如MOS栅中得以应用。但对于单晶的薄膜结构,则并不希望多晶的出现。


   外延( epitaxial)一词来源于希腊文,意为“安排在上面”。在半导体技术中,GS7966-424-116BBZ指薄膜的单晶结构。在CVD反应室内,硅原子被淀积在裸露的晶圆上,形成单晶结构(见图12. 27)。,当对化学反应剂进行有效控制,并且正确设置了系统的参数时,具有足够能量的淀积原子到达晶圆表面,并在其表面游动,将自身调整到与晶圆原子的晶体方向相一致。这样,淀积在<111>晶向的晶圆上便生长成<111>晶向的外延层。

       

   外延薄膜匡至基苇量蒌至薹至要晶器皋构

   另外,如果晶圆的表面有一层薄的二氧化硅、非晶态层表面或污染物‘22,则会影响淀积原子的正确定位,结果导致薄膜结构为多晶硅。这种情形可在某些方面,如MOS栅中得以应用。但对于单晶的薄膜结构,则并不希望多晶的出现。


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