采用CVD技术淀积的薄膜，按电性能可分为半导体膜、绝缘体膜和导体膜。 GLT5640L16-7TC下面内容介绍了每一种膜在半导体器件中的主要应用，以及特殊薄膜的使用。这里对特殊薄膜只做概括性的介绍，第16章将给出较为细致的解释。导体金属膜的淀积方法将在第13章中讨论。

   至此，我们已经讨论了作为半导体器件和电路基础部分晶圆的形成。但制造高质量的器件和电路，体硅( bulk)晶圆的使用还存在着一些不足。晶圆的质量、掺杂范围和掺杂的控制等因素限制了体硅晶圆的使用，同时也限制了高性能双极型晶体管的制造。解决的方法是硅淀积，称为外延层( epitaxial layer)。这是业界的主要进展之一。早在1950年，外延层已成为半导体工艺中的一部分2。J。从那时起，硅淀积工艺便应用于先进的双极型器件的设计，CMOS电路中对质量要求较高的衬底，以及在蓝宝石和其他衬底上的硅外延层的淀积（见第14章）。砷化镓和其他III~V族和II~V1族薄膜也采用了外延膜的淀积工艺。外廷膜具有与衬底材料同样的材料时（如硅上硅），产生的薄膜称为同质外延（homoepitaxial）。淀积材料不同于衬底材料时（如硅上砷化镓），产生的薄膜称为异质外延( heteroepitaxial)．