水平垂直流PECVD:该系统遵儋了底部饼式加热，垂直流CVD设计（见图12.19）。GE28F640W18BD80通过由电极板或其他等离子体射频，在反应室顶部形成等离子体。安装在晶圆托架下面的辐射加热器加热晶圆，形成冷壁淀积系统。用PECVD系统，除了标准的LPCVD反应室中的参数外，还要对其他几个重要参数进行控制。这些参数是射频功率密度、射频频率和周期占空比。总之，薄膜淀积的速度提高了，但必须有效控制和防止薄膜应力和／或裂纹。

   由诺发( Novellus)公司开发的另一种设计让晶圆固定在一系列电阻丝加热的承片架上。这些晶圆在具有薄膜建立的反应腔周围按指针增加。

   单片反应室PECVD系统（见图12. 20）的反应室较小，并且其余的晶圆暴露在特定的条件下，所以更需要有效的控制。通常，单片统处理速度慢于批处理系统。与大反应室批处理设备相比，片反应系统的生产效率的差异来源于晶圆快速进入反应室的方法和如何对真空的快速提升和释放。装载系统采用将晶圆放入预反应室，抽真空到预定的压力，然后将晶圆移送到淀积反应室的方式，增加生产效率。