CVD的工艺有着与氧化或扩散等相同的步骤。回顾一下，这些步骤包括预清洗（T艺要求的刻蚀）、AD7549JP淀积和评估。我们已经描述过清洗工艺，即用于去除微粒和可动的离子污染。化学气相淀积，如氧化是以循环的方式进行的。首先，将晶圆装载到反应室内，装载过程通常是在惰性气体环境下进行的。然后，晶圆被加热到预定温度，将反应气体引入淀积薄膜的反应室内进行反应。最后，将参与反应的化学气体·排出反应室，移出晶圆。薄膜的评估包括厚度、台阶覆盖、纯度、清洁度和化学成分。评估方法将在第14章中介绍。

   CVD系统（见图12. 10）主要分为两种类型：常压(AP)和低压(I．P)。除一些常压CVD系统( APCVD)外，大多数器件的薄膜是在低压系统中淀积的，也称为低压CVD或LPCVD。？

   两种系统的另一个区别是热壁或冷壁。冷壁系统直接加热晶圆托架或晶圆，加热采用感应或热辐射方式，反应窒壁保持冷的状态。热壁系统加热晶圆、晶圆托架和反应室壁。冷壁CVD系统的优点在于反应仅在加热的晶圆托架处进行。在热壁系统中，反应遍布整个反应室，反应物残留在反应室的内壁上，反应物的积聚需要经常清洗，以避免污染晶圆。

   在工作时，CVD系统使用两种能量供给源：热辐射和等离子体。热源是炉管、热板和射频感应。与低压相结合的增强型等离子体淀积( PECVD)提供J7特有的低温和优良的薄膜成分和台阶覆盖等优点。

   用于淀积如砷化镓( GsAa)这样的化合物膜的特殊CVD系统称为气相外延(VPE)。其中用于淀积金属的较新型的技术是在VPE系统中采用有机金属(MOCVD)源。最后描述的一种淀积方法是非CVD分子束外延(MBE)法，该方法在低温下极易控制薄膜的淀积。