离子注入掩膜
发布时间:2015/11/5 18:44:22 访问次数:2486
离子注入的一个重要优点是多种类型的掩膜都可以有效地阻止离子束流。AD7010JRS对于扩散工艺，唯一有效的掩膜是二氧化硅。半导体工艺所用的大多数薄膜都可用来阻止束流，包括光刻胶、二氧化硅、氮化硅、铝及其他金属薄膜。图11. 29比较了阻碍200 keV的不同杂质源注入所需的掩膜厚度。
使用光刻胶薄膜而不是刻蚀开的氧化层作为掩膜，提供了与剥离( lift-off)工艺相同的尺寸控制优势，取消了刻饿步骤以及它所引入的变化。使用光刻胶还能使生产效率更高。作为二氧化硅的替代物，将晶圆要经过的加热步骤减到最少，从而提高了整体良品率。
离子注入的一个重要优点是多种类型的掩膜都可以有效地阻止离子束流。AD7010JRS对于扩散工艺，唯一有效的掩膜是二氧化硅。半导体工艺所用的大多数薄膜都可用来阻止束流，包括光刻胶、二氧化硅、氮化硅、铝及其他金属薄膜。图11. 29比较了阻碍200 keV的不同杂质源注入所需的掩膜厚度。
使用光刻胶薄膜而不是刻蚀开的氧化层作为掩膜，提供了与剥离( lift-off)工艺相同的尺寸控制优势，取消了刻饿步骤以及它所引入的变化。使用光刻胶还能使生产效率更高。作为二氧化硅的替代物，将晶圆要经过的加热步骤减到最少，从而提高了整体良品率。
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