淀积工艺受几个因素控制或约束。一个因素是特定杂质的扩散率( diffusivity)。扩散率AD6622AS计量的是杂质在特定晶圆材料中的运动速率。扩散率越高，杂在晶圆中的穿越越快。扩散率随温度的上升而变大。

   另外一个因素是杂质在晶圆材料中的最大固溶度( maximum solid solubility)。最大固溶度是特定杂质在晶圆中所能达到的最高浓度。相似的例子是咖啡中糖的最大溶解度。咖啡只能 溶解一定量的糖，而后便会在杯底凝结为固态糖。最大固溶度随温度的升高而升高。

   在半导体淀积步骤中，将杂质浓度故意设置得比晶圆材料中的最大固溶度更高。这种情形下，确保晶圆可接受最大掺杂量。

   进入晶圆表面的杂质数量仅仅与温度有关，淀积在所谓的同溶度允许条件下进行。硅中不同杂质的固溶度如图11. 11所示。

   晶圆中不同层面杂质原子浓度是影响二极管和晶体管性能的重要因素。图11. 12显示r√淀积后杂质浓度随深度变化的关系曲线。曲线的形状是特定的，这就是数学中所称的误差函数( error function)。影响器件性能的一个重要参数就是晶圆表面的杂质浓度。这被称为表面浓度( surface  concentration)，是误差函数曲线与纵轴相交处的值。另外一个淀积参数就是扩散到晶圆内部的全部杂质原子数量。这个数量随淀积的时间而增加。计算上，原子的数量 (Q)由误差函数曲线下方的面积所代表。