刻蚀轮廓控制
发布时间:2015/11/4 22:19:24 访问次数:489
在第9章中,ADS7870EA各向异性刻蚀的概念用来说明形成竖直(或接近竖直)刻蚀侧墙的一种方法。当刻蚀层实际上是多层不同材料叠在一起时,该问题变得更复杂[见图10. 40(a)]。使用选择性比较差的刻蚀剂会形成宽度不同的层面[见图10. 40(b)]。多层刻蚀轮廓控制必须综合考虑刻蚀剂化学成分、功率水平、系统压力和设计。
学习完本章后,你应该能够:
1.描述4种与曝光有关的效应,这4种效应都会引起光刻图形畸变。
2.描绘双层光刻胶工艺的截面流程图。
3.描绘双大马士革制程工艺的截面流程图。
4.列举两种平坦化技术。
5.说出图形反转工艺的优点。
6.描述抗反射涂层、反差增强涂层和光刻胶染色剂是怎样改进分辨率的。
7.识别光刻掩模版的薄膜部分并讲出它对光刻工艺的贡献。
在第9章中,ADS7870EA各向异性刻蚀的概念用来说明形成竖直(或接近竖直)刻蚀侧墙的一种方法。当刻蚀层实际上是多层不同材料叠在一起时,该问题变得更复杂[见图10. 40(a)]。使用选择性比较差的刻蚀剂会形成宽度不同的层面[见图10. 40(b)]。多层刻蚀轮廓控制必须综合考虑刻蚀剂化学成分、功率水平、系统压力和设计。
学习完本章后,你应该能够:
1.描述4种与曝光有关的效应,这4种效应都会引起光刻图形畸变。
2.描绘双层光刻胶工艺的截面流程图。
3.描绘双大马士革制程工艺的截面流程图。
4.列举两种平坦化技术。
5.说出图形反转工艺的优点。
6.描述抗反射涂层、反差增强涂层和光刻胶染色剂是怎样改进分辨率的。
7.识别光刻掩模版的薄膜部分并讲出它对光刻工艺的贡献。