在曝光小尺寸图形时，ADS7866IDBVR我们倾向于使用正胶，这一点茌前面已经讨论过了。其中一个原因就是正胶适于使用暗场掩模版做孔洞。暗场掩模版大部分被铬覆盖，因为铬不会像玻璃一样易损，所以缺陷比较少。然而，一些掩模版用来曝光岛区，而不是孔洞，比如金属层掩模版上是岛区图形。遗憾的是，用正胶做岛区的光刻需要使用亮场掩模版，而它的玻璃容易损伤。

    一种使用正胶和暗场掩模版做出岛区的工艺是图像反转。它采用了传统的暗场掩模版成像方法（见图10.36），在曝光结束后，光刻胶里的图形与想要得到的图形是相反的，也就是说，如果接着湿影的话，会得到孔洞而不是岛区图像反转工艺的主要步骤为将涂胶的晶圆放置在有氨蒸气的真空烘箱中。氨蒸气穿透光刻胶，改变其    图形极性。将晶圆从真空烘箱中取出，再进行泛光曝光，  从而完成整个，图形反转工艺。氨气烘焙和泛光曝光的效果是改变曝光区域和非曝光区域的相对分解率，在接下来的显影步骤便可以实现图形反转了。这一工艺可以实现与非图形反转工艺同样的分辨率。