生产中考虑的首要参数是抛光速度， ADS7862Y影响抛光速度的因素有很多。上面描述的抛光垫的参数、磨料浆的种类和磨粉尺寸、磨料浆的化学成分，这些都是主要的因素。还有抛光垫压力、旋转速度；磨料浆的流速、磨料浆的黏度；抛光反应室的温度、湿度、晶圆直径、图形尺寸等，表面材料也是影响的因素。必须平衡以卜．所有因素以达到高的抛光速度且不使[艺失控，

   晶圆表面整体平整性，这是化学机械抛光的目标，但随着多层金属设计的采用，这一日标变得不埸达到．铜是一个特例，通过它可以看到一些化学机械抛光存在的基本问题。，铜被淀积在大马十革图形化工艺中的沟槽内（见图10. 33），导致中间密度低。在化学机械抛光过稃中，中间研磨更快，从而导致“盘形”出现，而且，在图形密集区域，铜淀积密度也不同，引起各图形研磨速度不一致。塞对于化学机械抛光来说也是个挑战（见图10. 34）。在初始化学机械抛光过程中，钨表面中心会凹进去而比周围的氧化层低。需要氧化层缓冲来进一步平坦化表面。301 1。

   在一些铜金属化设计中，钽被用来作为沟道中的阻挡层，阻

挡铜扩散进入硅中。然而，钽的研磨远远慢于铜（在以铜为研磨图10. 33铜沟槽的“盘形”目标的磨料浆中），使得铜的研磨时间大大增加，而且更加使中间凹陷3。J。

   图形形状尺寸的不同也会导致去除速度的不同。更大面积的区域去除更快，而在晶圆表面留下凹陷的低地。

   还有，挑战来自金属的硬度（硬度不同，其抛光速率不同）和较软聚合物材料的层间介质( IDL)。尽管仍然存在各种挑战，晶圆表面的平整度不得不控制在150 nm以下。