对于湿法和干法刻蚀两种工艺，EL2002CN有图形的光刻胶层是受青睐的刻蚀阻挡层：，在湿法刻蚀中，对于光刻胶层几乎没有来自刻蚀剂的刻蚀。然而在干法刻蚀中，残余的氧气会刻蚀光刻肢层。光刻胶层必须保持足够厚以应付刻蚀剂的刻蚀而不至于变薄出现空洞。有些结构使用淀积层作为刻蚀阻挡层来避免光刻胶层的损失（见第10章）。

   另一个与光刻胶相关的干法刻蚀问题是光刻胶烘焙。在于法刻蚀反应室内，温度町以升高到200℃，一定的温度可以把光刻胶烘焙至一个难以从晶圆去除的状态。再一个和温度相关的问题是光刻胶的流动倾向使图形畸变。

   等离子体刻蚀中一个不希望的影响是侧壁聚合物( sidewall polymer)淀积在刻蚀图形的侧壁，聚合物来自光刻胶。在接下来的氧气等离子体光刻胶去除工序中，聚合物沉积可变成金属氧化物18而难以去掉。