刻蚀工序的另一个目标是保护被刻蚀层下的表面。如果晶圆的下层表面被部分刻蚀掉，ECX-7700-XEN则器件的物理尺寸和电性能会发生改变。与保护表面相关的刻蚀工艺的性质是选择比(seleC-tivity)。它由被刻蚀层的刻蚀速率与被刻蚀层下面表层的刻蚀速率的比来表示。以不同的刻蚀方法氧化硅／硅的选择比4；1为20~ 40。高选择性意味着下表层很少或没有被刻蚀。在刻蚀深宽比大于3:1的小接触孔时，良好的选择性也会成为一个问题。5。选择比还适用于光刻胶去除。这在于法刻蚀中考虑较多。在表层被刻蚀的同时，一些光刻胶也会被同时去除。选择比必须要足够高，以保证刻蚀完成前光刻胶不会在被刻蚀层之前被去除掉．

   湿法喷射刻蚀

   湿法喷射刻蚀相对沉浸刻蚀有几个优点。其主要优点是喷射的机械压力而增加的精确度7，湿法喷射刻蚀可以将来自刻蚀剂的污染降到最低程度。从工艺控制的观点来看，喷射刻蚀因刻蚀剂可被水冲洗从而可以及时地从表面去掉而更加可控。单晶圆旋转喷射系统有显著的工艺一致牲的优点。

   喷射刻蚀的缺点在于设备系统的成本，对于压力系统中有毒刻蚀剂的安全考虑以及对用于防止机器老化的防刻蚀材料的要求方面。其优点为，喷射刻蚀系统通常是封闭的，这增加了操作人员的安全性。

   对于小特征尺寸和／或更大直径晶圆，批浸没式刻蚀虽然有生产效率高的特点，也不能满足均匀性的要求。具有机械手自动装卸系统的单片晶圆模块喷雾设备克服了批浸没式刻蚀的局限性（见第7章）。它们提供了需要的化学组分的控制、定时和刻蚀的均匀性．j在硅工艺技术中用于刻蚀不同层的常用化学品将在下面章节讨论。是一些常用的半导体膜及其刻蚀剂的列表。