本章将介绍从光刻胶的显影到最终检验所使用的基本方法（基本工艺的第5步到第10步）。KS8995M本章末尾将涉及掩模版制作的使用和对准误差预算的讨论。

   晶圆完成对准和曝光后，器件或电路的图案被以曝光和未曝光区域的形式记录在光刻胶上（见图9.1）。通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影。显影技术被设计成使之把完全一样的掩模版图案复制到光刻胶上。不良的显影工艺造成的问题是显影不充分，它会导致开孔的尺寸不正确，或使开孔的侧面内凹。在某些情况下，显影不够深而在开孔内留下一层光刻胶。第3个问题是过显影，这样会过多地从图形边缘或表面上去除光刻胶。要在保证高深宽比的塞孔的直径一致，和由于清洗深孔时液体不易进入而造成的清洗困难的情况下，保持具有良好形状的开孑L是一个特殊的挑战。