混合和匹配光刻机：较小几KS8695PX何尺寸的成像十分昂贵。但幸好一个产品的掩模版组中只有某几个关键层需要先进的成像技术。对于先进的电路，至少也有50%的非关键层【ioi。这些非关键层可以通过更加成熟的技术成像，如投影式分步重复光刻机或较便宜的分步式光刻机。使用X射线或电子束技术的混合和匹配光刻机可能会成为工厂的生产特色。

   工业界正沿着摩尔定律，向不久的将来的5 nm节点…1前进。第8章和第9章介绍的基本工艺将不能满足生产比200 nm节点小得多的特征尺寸。高于这个里程碑式的进步要求整个基本工艺的改善[12]。它们包括将在第10章讨论的新光刻胶、新曝光源和改善的掩模版等。

学习完本章后，你应该能够：

   1．画出基本的光刻工艺十步法制程的晶圆截面图。

   2．解释正胶和负胶对光的反应。

   3．解释在晶圆表面建立孔洞和岛区所需要的正确的光刻胶和掩模版的极性。

   4．列出十步基本光刻法每一步的主要工艺选项。

   5．从习题4的列表中选出恰当的工艺来建立微米和亚微米的特征图形。

   6．解释双重光刻、多层光刻胺工艺和平坦化技术的工艺需求。

   7．描述在“小”特征尺寸图形光刻过程中，防反射涂胶工艺和对比度增强工艺的应用。

   8．列出用于对准和曝光的光学方法和非光学方法。