驻波是使用光学曝光和正光刻胶时出现的问题（觅第10章）。一种减小驻波效应的方法是在曝光后烘焙晶圆。KS8695P烘焙的方法可以是前述方法的任何一种。曝光后烘焙( PEB)的时间和温度的规范是由烘焙方法、曝光条件，以及光刻胶化学所决定的。

   电子束光刻机：电子束光刻是一项成熟的技术，用于制造高精度掩模版（见图8. 51）。该系统包括一个电子发射源，它能产生小直径柬斑和一个能够开关电子束的快门。为防止空气分子对电子束的影响，曝光必须在真空环境中进行。束流通过具有定（或转向）能力的静电板，可以导向掩模版或晶圆的x-y方向。该系统在功能上类似于电视机的束流控制系统。为得到精确的束流方向，束流需要在真空反应室中穿行，该反应室中有电子束发射源，支撑结构以及可以曝光的衬底。

   由于所需图形从计算机中生成，因此没有掩模版。束流通过偏转子系统对准表面特定位置，然后在将要曝光的光刻胶上开启电子束。较大的衬底则被放置在x-y承片台上，并在电子束下移动，从而得到整个表面的曝光。这种对准和曝光技术称为直写( direct writing)。

   图形在光刻胶上的曝光是通过光栅扫描或矢量扫描完成的（见图8. 50）。光栅扫描就是电子束由一边移动到另一边，再向下逐行扫描。计算机控制扫描的运动逋程，并在将要被曝光区域的光刻胶上开启快门。光栅扫描的一个缺点是由于电子束必须经过个表面，因此扫描所需的时间较长。对于矢量扫描，电子束直接移动到需要曝光的区域（见图8. 51）。在每一个位置上，对小正方形或矩形面积的曝光构成了想要得到的整个曝光区域的形状。