位置:51电子网 » 技术资料 » IC/元器件

静态涂胶工艺

发布时间:2015/10/31 19:11:08 访问次数:2023

   晶圆在涂完底胶之后会停在针孔吸盘上面,这就为下一步涂胶工艺准备好了。EL5106IWZ-T7几立方厘米( CII13)的光刻胶被堆积在晶圆的中心(见图8. 27)并且允许被涂成一个小的水洼,这个小的水洼被继续涂开直到光刻胶覆盖_『晶圆的大部分e水洼的大小是一个工艺参数,它是由晶圆的大小和所用光刻胶的类型决定的。所涂光刻胶总量的大小是非常关键的。如果量少了会导致晶圆表面涂胶不均,如果量大了会导致晶圆边缘光刻胶的堆积或光刻胶流到晶圆背面(见图8. 28)。

      

   当水洼达到规定的直径,吸盘会很快地加速到一个事先设定好的速度。在加速过程中,离心力会使光刻胶向晶圆边缘扩散并甩走多余的光刻胶,只把平整均匀的光刻胶薄膜留在晶圆表面。在光刻胶被分散开之后,高速旋转还会维持一段时间以便使光刻胶干燥。

   光刻胶膜的最终厚度是由光刻胶黏度、旋转速度、表面张力和光刻胶的干燥性来决定的。在实践中,表面张力和干燥性是光刻胶的自身性质,黏度和旋转速度之间的关系是由光刻胶供应商所提供的曲线来决定的,或者是根据特定的旋转系统而建立的。图8. 29历示是典型厚度与旋转速度的关系。

   尽管旋转速度被指定来控制光刻胶膜厚,但是最终膜厚是由实际的旋转加速度来建立的。涂胶器的加速属性必须被详细说明,而且它必须被定期维护以保证它在旋转工艺中保持恒定。


   晶圆在涂完底胶之后会停在针孔吸盘上面,这就为下一步涂胶工艺准备好了。EL5106IWZ-T7几立方厘米( CII13)的光刻胶被堆积在晶圆的中心(见图8. 27)并且允许被涂成一个小的水洼,这个小的水洼被继续涂开直到光刻胶覆盖_『晶圆的大部分e水洼的大小是一个工艺参数,它是由晶圆的大小和所用光刻胶的类型决定的。所涂光刻胶总量的大小是非常关键的。如果量少了会导致晶圆表面涂胶不均,如果量大了会导致晶圆边缘光刻胶的堆积或光刻胶流到晶圆背面(见图8. 28)。

      

   当水洼达到规定的直径,吸盘会很快地加速到一个事先设定好的速度。在加速过程中,离心力会使光刻胶向晶圆边缘扩散并甩走多余的光刻胶,只把平整均匀的光刻胶薄膜留在晶圆表面。在光刻胶被分散开之后,高速旋转还会维持一段时间以便使光刻胶干燥。

   光刻胶膜的最终厚度是由光刻胶黏度、旋转速度、表面张力和光刻胶的干燥性来决定的。在实践中,表面张力和干燥性是光刻胶的自身性质,黏度和旋转速度之间的关系是由光刻胶供应商所提供的曲线来决定的,或者是根据特定的旋转系统而建立的。图8. 29历示是典型厚度与旋转速度的关系。

   尽管旋转速度被指定来控制光刻胶膜厚,但是最终膜厚是由实际的旋转加速度来建立的。涂胶器的加速属性必须被详细说明,而且它必须被定期维护以保证它在旋转工艺中保持恒定。


上一篇:涂光刻胶(旋转式)

上一篇:动态喷洒

相关技术资料
10-31静态涂胶工艺

热门点击

 

推荐技术资料

单片机版光立方的制作
    N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!