在光刻胶层能够产生的最小图形或其间距通常被作为对光刻胶分辨率（resolution capability）的参考，，AD9779BSVZ在晶圆上最关键的器件和电路的尺寸( CD)是图形化工艺的目标。产生的图形或其间距越小，说明分辨率越高。一种特定光刻胶的分辨率，实际是指特定工艺的分辨率，它包括曝光源和显影工艺。改变其他的工艺参数会改变光刻胶固有的分辨率。总体来说，越细的线宽需要越薄的光刻胶膜来产生。然而，光刻胶膜必须要足够厚来实现阻挡刻蚀的功能，并且保证不能有针孔。光刻胶的选择是这两个目标的权衡。

   用深宽比( aspect  ratio)来衡量光刻胶与分辨率和光刻胶厚度

相关的特殊能力（见图8. 13）。深宽比是光刻胶厚度与图形开口尺寸的比值。随着业界要求更小的图形，图形密度和形状因子开始在光刻胶设计方面产生影响。对于一种给定的光刻胶，孤立图形、水接触孔和高密度图形的区域，由于反射效果和化学反应因素，整个曝光和显影都不同。从而，有专门用于这些情况而设计的光刻胶。

   正胶比负胶有更高的深宽比，也就是说，对于一个给定的图

形尺寸开n，正胶的光刻胶层可以更厚。由于正胶的聚合物分子

尺寸更小，所以它可以分解出更小的图形。其实这就有点像用更小的刷子来画一条更细的线。对于先进的高密度甚大规模集成电路，更合适选用正胶。