第二次图形转移是从光刻胶层AD8601ART-REEL7到晶圆层（见图8.4）。当刻蚀剖把晶圆表面没有被光刻胶盖住的部分去掉时，图形转移就发生_『。光刻胶的化学性决定了它不会在化学刻蚀溶剂中溶解或是慢慢溶解；它们是抗刻蚀的( etch resistant)，因此被称为抗蚀剂(Resist)或是光致抗蚀剂( Photoresist)。

  在图8.3和图8.4的例子中，晶圆表面形成了孔洞。孔洞的形成是由于在掩模版上那一部分是不透光的。如果掩模版的图形是由不透光的区域决定的，则称为亮场掩模版( clear-field mask)，如图8.5所示。而在一个暗场掩模版(dark-field mask)中，在掩模版上

图形是用相反的方式编码的。如果按照同样的步骤，就会在晶圆表面留下岛区.