图形化工艺是要在晶圆内和表面层建立图形的一系列加工，这些图形根据集成电路中物理“部件”（器件）的要求来确定其尺寸和位置。OTI002169S-G这一章介绍f‘步基本图形化工艺流程的前4步，并讨论光刻胶的化学性质。

   图形化工艺还包括光刻( Photolithography)、光掩模(Photomasking)、掩模(Masking)、去除氧化膜( Oxide Removal，OR)、去除金属膜(Metal Removal，MR)和微光刻(Microlithography)、，图形化工艺是半导体工艺过程中最重要的工序之一，它是用来在不同的器件和电路表面仁建立图形的工艺过程。这个工艺过程的目标有两个：

   1．在晶圆中和表面上产生图形，这些图形的尺寸在集成电路或器件设计阶段建立（见图8.1）．，

   2．将电路图形相对于晶圆的晶向及以所有层的部分对准的方式，正确地定位于晶圆上（见图8.2）。

   图8.1基本图形化工艺    图8.2 5层掩模的硅栅晶体管

   除了两个结果外，有许多工艺变化。或者限定晶圆表面层被去除部分（孔），或者限定晶圆表面层留下部分（岛），如图8.1所示。

   正确的放置彼称为各种电路图形的对准( Alignment)或注册(Registration)。一种集成电路工艺要求40个以上独立的光刻（或掩模）步骤。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确对准。很容易想象，如果建筑物每一层和每一层不能很好地对准，那么它会对电梯以及楼梯带来什么样的影响。在一个电路中，如果每层和它的上一层不能很好地对准叮能会导致整个电路的失效。

   此外，光刻工艺必须控制所要求的尺寸和缺陷水平。给出在每次图形化操作中的步骤数和掩模层数，掩模工艺是主要的缺陷来源。在图形化【艺中每个掩模步骤贡献不同。图形化艺是一个折中和权衡的过程.