在氧化反应方程式的反应方向的箭头下，有一个三角形。这个三角形表示化学反应需要的能量。在硅技术里，这些能量来源于对晶圆的加热， K4X51323PE-8GC3所以称为热氧化反应( thermal oxidation)。二氧化硅层在常压或高压条件下生长。常压氧化发生在不必有意控制内部压力的系统中，其压力就是当地的大气压。有两种常压技术：管式反应炉( tube furnace)和快速氧化系统(rapidthermal system)（见图7.15）。

   水平管式反应炉

   水平管式反应炉从20世纪60年代早期开始应用在氧化、扩散、热处理以及各种淀积 工艺中。转换到200 mm和300 mm晶圆后开始使用垂直管式反应炉。加工较小直径晶圆的 晶圆制造厂仍然采用永平管式反应炉。两种系统的基本工作原理是一样的。

   图7. 16显示厂一个有3个加热区的水平单炉管式反应炉的截面图。它包含一个由多铝 红柱石材料制成的陶瓷炉管，管的内表面有铜材料制成的加热管丝。每一段加热管丝决定一 个加热区并且由相应独立的电源供电，并由比例控制器控制其温度。在反应炉里有个石英的 炉管，它被用做氧化（或其他工艺）反应室。反应室可以在一个瓷套管里，瓷套管称为套筒 ( muffle)。它起到一个热接受器的作用，可以使沿石英炉管的热分配比较均匀。