生长氧化层会通过两个阶段：线性阶段K4J52324QE-BC14和抛物线阶段。从线性阶段到抛物线阶段的变化依赖于氧化温度和其他因素（见7.3.1节）。通常来说，小于iooo A(0.1ht,m)是由线性机理控制的，这是大部分MOS栅极氧化层的范围。2。1。

   抛物线关系的主要含义是指厚氧化层比薄氧化层需要更多的时间。例如，在1200℃的于氧( dryox)反应中，生长2000 A（0.20 ym）需要6分钟，如图7.11所示‘列。如果加倍到4000A需要约220分钟，超过原来的36倍。这样长的时间，对于半导体工艺来讲是个问题。当用纯氧作为氧化气体，生长厚的氧化层需要更长的时间，特别是在低温条件下。一般来说，工艺师希望在保证质量的前提下，时间越短越好。在前面的例子中提到的220分钟实在太长r，一个氧化反应，需要一个班次的时间才能完成。

   —个加速氧化的方法是用水蒸气( H20)来代替氧气做氧化剂。图7.12说明了在水蒸气中牛长二氧化硅的过程。在气态时，水以H-OH -基离子的形式存在。它由一个氢原子(H)和一个带负电的氢氧根(OH-)组成，这个分子称为氢氧基离子(hydroxyl  ion)，氢氧

基离子扩散穿过晶圆七的氧化层的能力比氧气快。如图7. 11所示的生长曲线，这是一个比较快的硅氧化过程。

   水在氧化反应时是以水蒸气的形态存在的，这种工艺称为蒸气氧化( steam  oxidation)、湿氧化( wet oxidation)或高温蒸气氧化(pyrogenic steam)。湿氧化一词来源于那个时代，当时气态水来源于液态水。只有氧参与的氧化称为干氧化。如果只用氧气一定是干的（无水蒸气的），而其他类型的生长氧化物可能用水蒸气，并要求额外的工艺。