应用在硅基器件中的二氧化硅层的厚度的变化范围是很大的。薄的氧化层主要有MOS器件里的栅氧化层，K4J10324QD-HC12技术进步已经允许栅的厚度达到l nm(10 A)12i。厚的氧化层主要用于场氧化层，图7.6列出厂不同厚度范围及其相对应的主要用途。

   热氧化生长是非常简单的化学反应，如图7.7所示。这个反应甚至在室温条件下也能发生。，可是，在实际应用中，需要用阶梯式升温方法，在合理的时间内获得高质量的氧化层、，氧化温度一般在9000C—1200℃之间。

   尽管化学方程式表示了硅与氧所发生的反应，怛并没有说明氧化的生长机制。为了理解生长机制，我们可以想象把一片晶圆放到加热室中，暴露在氧环境中[见图7.8(a)]。开始时，氧原子与硅原子结合，这一阶段是线性的( linear)，因为在每个单位时间里，氧的生长量是一定的[见图7.8(b)]。大约长f iooo A后，线性生长率达到极限[1埃是l微米(斗m)的万分之J(i¨m=10 000 A)]。