在硅表面形成二氧化硅钝化层的能力是硅技术中的关键因素之一。本章将解释二氧化硅生长的工艺、形成及用途。K4D551638H-LC50其中，要详细解释本工艺中最重要的部分——反应炉，因为它是氧化、扩散、热处理及化学气相淀积反应的支柱。另外，也会涉及到氧化反应的不同方法，其中包括快速热氧化工艺。

   在形成半导体器件的硅的所有优点当中，容易生长出二氧

化硅膜层这一点可能是最有用的。无论任何时候，当硅表面暴露在氧气中时，都会形成二氧化硅（见图7.1）。二氧化硅是由一个硅原子和两个氧原子组成的( S102)。在日常生活中，我们经常会遇到二氧化硅，它是普通玻璃的主要化学组成成分。但用于半导体上的二氧化硅，是高纯度的，经过特定方法制成的。二氧化硅是在有氧化剂及逐步升温的条件下，在光洁的硅表面E生成的，这种工艺称为热氧化。用湿法和干法氧化、等离子T艺和气相反应生成二氧化硅层。在有氧化剂存在的高温工艺（称为热氧化）是用于半导体器件的工艺：

   尽管硅是一种半导体材料，但二氧化硅却是一种绝缘材料。在半导体上结合一层绝缘材料，再加上二氧化硅的其他特性，使得二氧化硅成为硅器仵制造中得到最广泛应用的·种薄膜。科学家发现二氧化硅可以用来处理硅表面，做掺杂阻挡层、表面绝缘层，以及器件中的绝缘部分。在MOS器件中，最关键的层是栅，大部分栅是由二氧化硅薄层组成的．