洁净的晶圆是芯片生产全过程中的基本要求，但并不是在每个高温F的操作前都必须进行的，  RT9166-18GVL一般说来，全部工艺过程中高达30%的步骤为晶圆清洗28．在这罩将要描述的清洗14艺，将贯穿芯片生产的全过程。

   半导体工艺的发展过程在很多方面可以说是清洗工艺随着对无污染晶圆需求不断增长而发展的过程。晶圆表面有4大常见类型的污染，每一种在晶圆上体现为不同的问题，并叮用不同的工艺去除。这4种类型是：

  1．颗粒

  2．有机残留物

  3．无机残留物

  4．需要去除的氧化层

   通常来说，一个晶圆清洗的工艺或一系列的工艺，必须在去除晶圆表面全部污染物（上述类型）的同时，不会刻蚀或损害晶圆表面。它在生产配制上是安全的、经济的，是为业内可接受的。通常对清洗工艺的设计适用于两种基本的晶片状况。一种叫做前端工艺线( FEOL)，特指那些形成有源电性部件之前的生产步骤。在这些步骤中，晶圆表面尤其是MOS器件的栅区域，是暴露的、极易受损的。在这些清洗步骤中，一个极其关键的参数是表面粗糙度( surface roughness)。过于粗糙的表面会改变器件的性能，损害器件卜面沉积层的均匀性，表面粗糙度是以纳米为单位的表面纵向变差的平方根( nmRMS)。2000年的要求是0. 15 nm, 2010年已逐渐降低到0.1 nm以下29。在FEOL的清洗工艺中，另外一个值得关注的方面是光片表面的电性条件。器件表面的金属离子污染物改变电性特征，尤其是MOS晶体管极易受损。钠( Na)连同Fe、Ni、Cu和Zn是典型的问题（见第4章）。清洗工艺必须将其

浓度降至2.5×l09原子／CI112以下从而达到2010年的器件需要。、铝和钙也是存在的问题，它们在晶片表面的含量需要低于5×l09原子／C ffl2的水平瓤1。