标来衡量：

  1．纯度

  2．水气含量

  3．微粒

  4．金属离子

   所有工艺气体都要求极高的纯度，HPA02163RGER用于氧化、溅射、等离子刻蚀、化学气相沉积( CVD)、反应离子刻蚀、离子注入和扩散等工艺的气体也有特殊要求。所有涉及化学反应的1：艺都需要能量。如果工艺气体被其他气体污染，则预期的反应就会产生显著改变，或者在晶圆表面的反应结果也产生改变。例如，一罐溅射工艺用氩气里如果有氯杂质，就会导致生成的溅射薄膜有影响器件质量的恶果。气体纯度由成分数表示，纯度·般从99. 99%到99. 999 999%，取决于气体本身和该气体在工艺中的用途。纯度由小数点右边9的个数表示，最高纯度级别可为“6个9纯度”22‘。

   保持气体从生产商到工艺工作台过程中不变的纯度是对晶圆制造厂的一个挑战。从生产源开始，气体要通过管道系统、带有气阀与流量表的气柜，然后接入设备。这整个系统中的任何一部分的泄漏都是灾难性的。外部气体（特别是氧气）进入工艺气体参加化学反应，就改变了反应气体的成分，也改变了期望的化学反应。气体的污染还可以由系统本身散气而产生。一个典型的系统设有不锈钢管道与阀门，还有聚酯材质的部件，如接头与密封件。对于超级洁净系统，不锈钢表面还必须经过电子抛光和（或）用真空双层保护表面内部的熔接点以减少散气23。另一种技术就是在表面生长一层氧化铁膜，以进一步减少散气。这种技术一般称为氧气钝化( Oxygen Passivation，OP)．，要避免使用聚酯物质。气体柜的设计减少了可堆积污染的死角。另外洁净焊接工艺的使用也非常重要，杜绝了焊接气体被吸入气体管道．、

   水气的控制也是非常重要的。水蒸气是一种气体，与其他污染气体一样，也会参与不需要的反应。在晶圆制造厂中加I晶圆时带有水气是个特别问题。当有氧气或水分存在时，硅很容易被氧化。所以控制不需要的水气对阻止硅表面的氧化是非常重要的。水气的上限一般是3～5 ppm。