工艺流程举例阐述了这4种最基本的工艺方法是如何应用到制造一个具体的晶体管结构的。 STM32F103VET6电路所需的其他元件（二极管、电阻器和电容器）也同时在电路的不同区域上构成。比如说，在这个工艺流程下，电阻的图形和晶体管源／漏极图形同时被添加在晶圆E。随后的扩散工艺形成源极／栅极和电阻。对于其他形式的晶体管，如双极型和硅栅MOS晶体管，也同样是由这4种最基本的工艺方法加工而成的，不同的只是所用材料和艺流程不同。

   总体来说，在制造工艺的前…部分将电路元件形成．被称为前端工艺线( FEOI。)；在制造工艺的后一部分将连接电路元件的各种金属化层加到晶圆表面，这一部分被称为后端I：艺线( BEOI．)。

   现代芯片结构比上述叙述的简单工艺复杂许多倍。它们有多薄膜层和掺杂区，以及表面的数层，包括散布在介质层中间的多层导体层。

   实现这些复杂的结构要求许多工艺。换言之，每一个工艺要求数个步骤和子步骤。实际仁64CJb CMOS器件的工艺町能需要180个主要步骤、52个清洗／剥离步骤以及多达28块掩模版1；。所有这些主要步骤也是这4种基本T．艺之一、

   当产业界的栅条宽度达到几个原子和电路上堆叠金属的水平时，工艺步骤将达500步或更多.