在许多情况下，MC9SDG128ECPV只是晶圆的正面经过充分的化学机械抛光。背面留下从粗糙或腐蚀到光亮的外观。对于某些器件的使用，背面可能会受到特殊的处理导致晶体缺陷，称为背损伤( backside damage)。背损伤产生位错的生长辐射进入晶圆，这些位错现象是

陷阱，俘获在制造工艺中引入的可移动金属离子污染。这个俘获现象又称为吸杂( gettering)（见图3.25）。背面喷沙是一种标准的技术，其他方法包括背面多晶层或氮化硅的淀积。

   对更大直径晶圆的许多要求之一，是平整和平行的表面。许多300 mm晶圆的制造采用了双面抛光，以获得局部平整度在25 mm×25 mm测量面时小于0.25 ht,m到0.18 ym的规格要求9：1。缺点是在后面的工序中必须使用无划伤和不污染背面的操作技术。