最终的抛光步骤是一个化掌腐蚀和机械摩擦的结合，被称为化学机械抛光( CMP)。晶圆MC9S12H128VFV装在旋转的抛光头上，下降到抛光垫的表面以相反的方向旋转。抛光垫材料通常是有填充物的聚亚安酯铸件切片或聚氨酯涂层的无纺布。二氧化硅抛光液悬浮在适度含氢氧化钾或氨水的腐蚀液中，滴到抛光垫上。

   碱性抛光液在晶圆表面生成一薄层二氧化硅。抛光挚以持续的机械摩擦作用去除氧化物，晶圆表面的高点被去除掉，直到获得特别平整的表面。如果一个半导体晶圆的表面扩大到10 000英尺（3048 m-飞机场跑道的长度），在总长度中将会有正负2英寸的平整度偏差。

   获得极好平整度需要规定和控制抛光时间、晶圆和抛光垫上的压力、旋转速度、抛光液颗粒尺寸、抛光液流速、抛光液的pH值、抛光垫材料和条件。

   化学机械抛光是制造大直径晶圆的技术之一。在晶圆制造工艺中，新层的建立会产生不平的表面，使用CMP以平整晶体表面。在这个应用中，CMP被称为化学机械平坦化(planari-zation)。具体CMP的使用将在第10章中解释。