半导体材料在其本征状态时是不能用于固态器件的。但是通过一种称为掺杂( doping)的工艺， UA78M12CKTPR可以把特定的元素引入到本征半导体材料中。这些无素可以提高本征半导体的导电性，掺杂的材料表现出两种独特的特性，它们是固态器件的基础。这两种特性是：

   掺杂半导体的电阻率：金属电阻率的范围在每欧姆·厘米l04~ 106之间，该范围的含义可以通过对如图2.5所示的电阻进行测量得到．如果固定体积的金属电阻率确定，改变电阻的唯一力‘法是改变金属的形状。而在有半导体特性的材料中，电阻率可以改变，从而在电阻的设计中增加了又…个自由度。半导体就是这样的材料，其电阻率的范围叮以通过掺杂扩展到10 I~103之间，、

   半导体材料可以掺杂一些元素以达到一个有用的电阻率范围，这种材料或者是多电子（N刭）的或者是多空穴（P型）的．、

   图2.7显示出掺杂程度与硅的电阻率之间的关系，、纵坐标为载流子浓度是因为材料中的电子或窄穴称为载流子( carrier)，注意有两条曲线：N型与P型。这是因为在材料中移动一个电子或空穴所需的能量是不同的j如曲线所示，在硅中要达到指定的电阻率，N型所需掺杂的浓度要比P型小？表示这种现象的另一种方法是移动一个电子比移动一个窄穴的能量要小.