电浪涌引起的过电应力(Electrical Over Stress．EOS)损伤或烧毁是电子元器件在使用过程中最常见的失效模式之一， DS1307Z+TR它会严重影响电路的正常工作。

   电浪涌是一种随机和短时间的高电压和强电流冲击，其平均功率虽然很小，但瞬时功率却非常大。因此，它对电子元器件的破坏性很大，轻则引起逻辑电路出现误动作或导致器件局部损伤，重则引发热电效应（如双极晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应），使器件特性产生不可逆的变化，甚至遭到永久性破坏（如造成铝金属互连线的烧熔、飞溅）。随着电子元器件集成密度的提高和几何尺寸的缩小，它越来越容易因受到电过应力而损坏。因此，必须采取有效措施予以防范。

   浪涌过电应力的来源

   集成电路开关工作产生的浪涌电流

   数字集成电路在输出状态翻转时，其工作电流的变化很大。例如，具有图腾柱输出结构的TTL电路中，当状态翻转时，由于晶体管内储存电荷的释放需要一定的时间，其输出部分的两个晶体管会有大约lOns的瞬间同时导通，这相当于源对地短路。每一个门电路在此转换瞬间有幅度为30mA左右的浪涌电流输出。

    对于大规模集成电路或高密度印制电路板组件，一块电路或一块组件上会有几十乃至成百上千个门电路同时翻转，所形成的浪涌电流是十分可观的。若有33块TTL电路同时翻转，则瞬态电流可达1A，而变化时间只有lOns。像这种电流变化，稳压电源是难以稳定调节的。一般稳压电源的频率特性只有lokHz数量级，对于lOns级的剧烈变化是无济于事的。于是，上述效应就会造成电源电流的剧烈波动，不仅给产生浪涌的原电路造成危害，而且可能给电路中的其他器件造成危害，还会通过电磁辐射影响邻近的电路或设备。