Zn0压敏电阻器在交流或直流电压的长期作用下，会发生漏电流会增大，伏安特性变差， HEF40106BT压敏电压不断跌落等蜕变现象，以致性能变得越来越不稳定，甚至导致热击穿。这种性能的蜕变是一种潜在的不安全因素，也是导致失效的主要原因。测试分析表明，蜕变现象发生在伏安特性的小电流范围（预击穿区），而预击穿区的电流主要取决于反偏肖特基势垒，因此，长期偏置出现的电流蠕变现象与反偏肖特基势垒的蠕变有关，亦即与势垒高度和宽度的变化有关。而势垒蠕变又是由离子迁移造成的。在外电场作用下，Zn0晶粒表面层和晶界层中的易迁移离子做定向扩散。当达到新的平衡时，表面态密度下降，使势垒高度下降，从而引起漏电流增加，伏安特性发生退化。在Zn0中，由于间隙Zri2+离子的扩散活化能较低，在正常温度和电场作用下容易发生迁移，而Zn0中的2n2+、02 -离子和其他杂质离子的扩散活化能大，因而不易迁移。要使压敏电阻器性能稳定，就要求材料中易迁移的离子少，同时使晶界相中离子电导率低。这可以通过热处理使a、卢型B12 03转变为电导率低的y型。为减少易迁移的2n2+离子，而又不至于使电阻率串提高，可以在晶格中引入施主型杂质（如Al3+、In3+、Ga3+离子等），用本征缺陷来控制。