敏感元件的表面电荷通过一个场效应晶体管缓冲放大，从而提供一个有用的信号输出。GAL16V8AS-12HC1这些电荷被聚集在场效应晶体管上，通过与外部电路连接，提供输出信号，一个高阻抗的电阻跨接在敏感元件的两端，敏感元件的表面电荷从一端表面流向高阻抗电阻，再回到另一表面，形成回路电流[109。敏感元件能够在具有一定频率的红外辐射下工作，当没有红外辐射情况，表面温度降低，敏感元件的电荷将改变极性。场效应晶体管工作在源跟随器模式，它提供了一个偏置电压0.4~1．OV，叠加在探测器的输出信号上。为了避免场效应晶体管工作的功耗过大而引起的探测器内热产生，流过场效应晶体管的电流被限制在10一20 VA之间。外形结构、输出电路以及红外探测器的原理图见图3 -31。钽酸锂敏感元件、CMOS放大器、窄带滤光片、47k(l电阻和一个电容都被真空封装集成在一个T0-18型的金属管壳内，因此，单波长单通道的T0-18型探测器被制备，其滤波片可以根据具体需要在集成安装时选择.

   设计过程需考虑的一个重要问题是敏感元件与窗体等的布局问题，合理的布局有利于提高探测器的性能。因此，两个关于探测器的布局设计的重要参数：探测器的视场(A Detector's Fielcl of View，FOV)、探测器的入射角(Wide Angleof Incidence，AOI)‘106 3。探测器的视场应该尽可能大，以便更多的辐射被入射到探测器的敏感元件上。同时也要综合考虑不必要的光辐射被入射到敏感元件上。而对于探测器的入射角必须选取合适，这样才可以保证更多的辐射被有效地折射到敏感元件上。具体设计方案通过图3 -32和图3-33来描述。