(1)清洗硅基底基片，采用射CNB1002005AU频磁空溅射工艺方法在基片上沉积150nm的Si3N。，500nm的Si02薄膜作为热隔离层，然后在Si3N。/Si0：上沉积Ti和Pt层；

   (2)在上电极上采用3600rpm/min旋涂30s，形成PT/PZT~ PZT/PT多层薄膜层，采取前所述的方法实现0. 55l.t,m的多层薄膜结构；

   (3)等离子腐蚀法光刻图形化PT/PZT~ PZT/PT多层薄膜；

   (4)采用蒸镀工艺技术，制作150nm的Pt薄膜层和80nm的Ti薄膜层在薄膜层上；

   (5)光刻制作焊接区；在纯N：气室内、150Pa压力情况下，蒸镀150nm的金黑吸收层，在丙酮中剥离不需要的金属区，形成红外敏感检测区域；

   (6)光刻硅基底敏感元件的背面，采用BOE深浸蚀5h制作硅基底微桥结构；

   (7)把敏感元件与外部输出电路进行连接，然后真空封装入T0-5型金属壳体内。

   制作的红外薄膜型探测器主要由PT/PZT~PZT/PT薄膜敏感元件、JFET场效应晶体管、窄带滤光片、47kQ电阻以及输出电路等组成，这些被真空封装在T0-5型金属壳体内，原理结构图如图3-12所示。