热敏电阻是由电阻温度系数大的导体或半导体材料制成的电阻元件。EP20K200EQI240-2热敏电阻有金属的和半导体的两种。制作热敏电阻的材料多为金、镍、铜等金属薄膜以及氧化锰、氧化镍、氧化钴等半导体金属氧化物。它们的主要区别是：金属热敏电阻的电阻温度系数多为正的，绝对值比半导体的小，其电阻与温度的关系多为线性的，耐高温能力较强，所以多用于温度的模拟测量；而半导体热敏电阻的电阻温度系数多为负的，绝对值比金属的大十多倍其电阻与温度的关系是非线性的，耐高温能力较差，所以多用于辐射探测。

   热敏电阻的物理过程是吸收辐射，产生温升，从而引起材料电阻的变化，其机理很复杂，但对于由半导体材料制成的热敏电阻可定性地解释为，吸收辐射后，材料中电子的动能和晶格的振动能都有所增加。因此，其中部分电子能够从价带跃迁到导成为自由电予，从而使电阻减小，因而电阻温度系数是负的。对于由金属材料制成的热敏电阻，因其内部有大量的自由电子，在能带结构上无禁带，吸收辐射产生温升后，自由电子浓度的增加是微不足道的。相反，晶格振动的加剧却妨碍了电子的自由运动，从而电阻温度系数是正的，而且其绝对值比半导体的要小。

   热敏电阻工作时受环境的温度影响比较大，所以一般工作时都加上补偿，将不受光照和受光照的热敏电阻共同接在电桥中，如图4 -47所示为桥路形式。