电荷的注入。在CCD中，电荷注入AD7440BRM的方法有很多，归结起来，可分为光注入和电注入。

   光注入方式是指，当光照射到CCD硅片上时，在栅极附近产生电子一空穴时，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被其收集在势阱中形成信号电荷。光注入方式又可分为正面照射式及背面照射式。CCD摄像器件的光敏单元为光注入方式。

   所谓电注入就是利用CCD的输入结构对信号电压或电流进行采样，将信号转换成电荷信号。电注入方式可以分成电流积分法和电压注入法。

   ①电流积分法。如图4 -39(a)所示，由N+扩散区（称为源扩散区，记为S）和P型衬底形成的二极管是反向偏置的，数字信号或模拟信号通过隔直电容加到S上，用以调制输入二极管的电位实现电荷注入。输入栅IG加直流偏置，对注入电荷起控制作用，在咖2到来期间，在IG和咖2下形成阶梯势阱，当S处于正偏时，信号电荷通过输入栅下的沟道，被注入到咖z下的深势阱中。被注入到咖2下的势阱中的电荷量Q,r取决于源区S的电压UID.输入栅lC下的电导以及注入时间Te（时钟脉冲周期之半）。如果将N+区看成MOS晶体管的源极，IG为其栅极而咖2为其漏极，当宅工作在饱和区时，输入栅IG下沟道电流肛是表面电子迁移率；Z是沟道宽度；￡IG是IG的长度；UIG是IG的阈值电压。

   由上式可见，这种注入方式的信号电荷Q信不仅依赖于UIG和咒，而且与输入二极管所加偏压的大小有关，因此，Q,r与UID的线性关系较差。另外，信号由输入栅引入时，二极管可以处于反偏也可以处于零偏。