反型层的出现说明了栅压达到阈值时，在Si02和P型半导体之间建立了导电沟。 AD7418ARM因为反型层电荷是负的，故常称为N型沟道CCD。如果把MOS电容的衬底材料由P型换成N型，偏置电压也反一下方向，则反型层电荷由空穴组成，即为P型沟导CCD。实际上因为材料中缺乏少数载流子，当外加栅压超过阈值时反型层不能立即形成；所以在这短暂时间内耗尽区就更向半导体内延伸，呈深度耗尽状态，深度耗尽状态是CCD的工作状态。这时MOS电客具有存储电荷的能力。同时，栅极和衬底之间的绝大部分电压降落在耗尽区。如果随后可以获得少数载流子，那么耗尽区将收缩，界面势下降，氧化层上的电压降增加。当提供足够的少数载流子时，就建立起新的平衡状态，界面势降低到材料费米能级中，的2倍。对于掺杂为每立方厘米1015个的P型硅半导体，其费米能级为0. 3V。这时耗尽区的压降为0.6V，其余电压降在氧化层上。

   图4 -35为实际测得的表面势西s与外加栅压的关系，此时反型层电荷为零。图4 -36为出现反型层电荷时，表面势中s与反型层电荷密度的关系。可以看出它们是成线性关系的。

   根据上述MOS电容的工作原理，为了易于理解，可以用一个简单的液体模型去比拟电荷存储机构。当电压超过阈值时，就建立了耗尽层势阱，深度与外加电压有关。当出现反型层时，表面电位几乎呈线性下降，类似于液体倒入井中，液面到顶面的深度随之变浅。只是这种势阱不能充满，最后有垂，的深度，见图4 - 37。