锑化铟( InSb)光敏电阻为单晶半导体， GA9102-2MC光激发是本征型的。它主要用于探测大气第二个红外透过窗口，波长3—5斗m，常温下长波限可达7.3¨m；冷却到77K时，长波限为4.4斗m（主要是材料禁带宽度变宽）。通常工作于低温状态，它也能做成元列阵。

   砷化铟( InAs)光敏电阻在制冷到196K时，长波限能达到4I.Lm．峰值波长3.2pm。

   杂质光电导检测器

   杂质光电导检测器是基于非本征光电导效应的光敏电阻。目前已制成许多锗、硅及锗硅金的杂质红外光电导器件。它们都工作于远红外区8~ 40ym波段。

   由于杂质光电导器件中施主和受主的电离能AE -般比本征半导体禁带宽度△E。小得多，所以响应波长比本征光电导器件要长。相比来说，杂质原子的浓度比材料本身原子的浓度要小很多，在温度较高时，热激发载流子的浓度很高，为使光照时在杂质能级上激发出较多的载流子，所以杂质光电导器件都必须工作于低温状态。

   多元系本征光电导检测器

   大气的第三个窗口(8~ 14¨m)透过率高。常温下许多物体的辐射光谱峰值都在lOI.Lm左右，这是红外遥感、红外军事侦察等仪器的主要工作波段，也是大功率C02激光器的工作波段。人们希望有工作于常温或不很低的低温，且D*又高的本征型光电导器件。根据本征光电导工作原理，适合于8~ 14 pdm波段的本征半导体材料的禁带宽度应为0.09—0.05eV，但是已知所有单晶和化合物半导体材料中都不具有这么小的禁带宽度。人们用多元化合物达到了这一目的。与单晶俸结构相同而禁带宽度不同的二元化合物配制成适当组分的固溶体，如碲镉汞( HgCd) Te和碲锡铅(PbSn) Te就是这种本征光电导材料。