Norlux系列LED的封装结构采用六角形铝衬底（直径为1.25in），发光区ECLAMP2388P.TCT位于其中央部位，直径约为0.375in，可容纳40个LED芯片。用铝板作为热衬，并使芯片的键合引线通过在衬底上做成的两个接触点与正极和负极连接。根据所需输出光功率的大小来确定衬底上排列芯片的数目，组合封装的超高亮度芯片包括AIGaInN和AIGaInP，它们的发射光可为单色、彩色（RGB）、白色(RGB三基色合成或蓝色黄色二色合成)。最后采用高折射率的材料按照光学设计形状进行封装，不仅取光效率高，而且还能够使芯片和键合引线得到保护。采用RGB三基色合成白光的组合封装模组，当混色比为0.43R：0.48G：0.009B时，光通量典型值为lOOlm，CCT标准色温为4420K，色坐标x为0.3612，y为0.3529。由此可见，这种采用常规芯片进行高密度组合封装的功率型LED可以达到较高的亮度水平，热阻低，具有较高的光输出功率，并可在大电流下工作。    。

   多芯片组合封装的大功率LED，其结构和封裟形式较多。Lanina Ceramics公司推出了采用该公司独有的在金属基板上低温烧结陶瓷( LTCC-M)技术封装的大功率LED阵列；松下公司推出由64只芯片组合封装的大功率白光LED;曰亚公司推出超高亮度白光LED，其光通量可达6001m，输出光束为lOOOlm时，耗电量为30W，最大输入功率为50W，白光LED模组发光效率达331m/W。我国台湾VEC公司（国联）采用金属键合(Metal Bonding)技术封装的MB系列大功率LED的特点是：用Si代替GaAs衬底，散热好，并以金属黏结层作光反射层，提高了光输出。