常规的晶体硅太阳能电池是在厚度为350～450ym的高质量硅片上制成的，这种硅A916CY-820M片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节昝材料，人们从20世纪70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜，但由于生长的硅膜晶粒太小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜太阳能电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积( LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。此外，液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜太阳能电池。化学气相沉积主要是以SiH2Cl2. SiHCl3. SiCl4或SiH4为反应气体，在一定的保护气（氛）下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、Si02、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题的办法是先用LPCVD在衬底上沉积一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再结晶技术无疑是很重要的一 个环节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜太阳能电池除采用了再结晶工艺外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的太阳能 电池转换效率明显提高。工业化生产的多晶硅太阳能电池的典型特性参数如下：

   多晶硅太阳能电池的其他特性与单晶硅太阳能电池类似，如温度特性、太阳能电池性能随入射光强的变化等。从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池材料要便宜一些，制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到较快笈展。此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电池还是优于多晶硅太阳能电池。