在热平衡条件下，结区有统一的廓；MAX3814CHJ在远离结区的部位，Ec、EF，Ev之间的关系与结形成前状态相同。从图1-18可知，N型、P型半导体单独存在时，EFN与EFP有一定差值。当N型与P型两者紧密接触时，电子要从费米能级高的一方向费米能级低的一方流动，空穴流动的方向相反。同时产生内建电场，内建电场方向为从N区指向P区。在内建电场作用下，EN将连同整个N区能带一起下移，EFP将连同整个P区能带一起上移，直至将费米能级拉平为

EFN=EFP，载流子停止流动为止。此时在结区的导带与价带则发生相应的弯曲，形成势垒。势垒高度等于N型、P型半导体单独存在时费米能级之差：

   g VD=EFN-EFP    (1-14)

   得

   VD=(EFN-EFP)/q

   式中，g为电子电量；VD为接触电势差或内建电势。

   对于在耗尽区以外的状态：

   VD=(KT/q)ln(NAND/nf2)

   式中，ⅣA、ⅣD、ni分别为受主、施主、本征载流子浓度。

   可见VD与掺杂浓度有关。在一定温度下，PN结两边掺杂浓度越高，料的ni较小，故VD也大。