同步整流可以有效地提高电源效率，特别是A04806输出电压较低时，二极管的正向压降占输出的比例较大，损耗很严重，但由于同一电流级别的MOSFET管的成本一般要比二极管高，因此采用这一方案时成本有所升高。开关电源的损耗主要集中在三个地方：一是整流二极管，二是开关MOSFET，三是变压器。

   开关MOSFET的损耗又分为导通损耗和开关损耗。导通损耗主要是开关管导通时由其通态电阻产生的，通常额定电流大的MOSFET的通态电阻较小，但成本较高，因此条件允许的情况下应尽可能采用通态电阻小的MOSFET;MOSFET的开关损耗主要是在开关不断导通和关断过程中对MOSFET的栅极电容的充放电而造成的，虽然这个电容很小，但是在开关频率很高的情况下，每次给电容充的电荷都要对地放掉，积累起来也相当可观，频率很高时这部分

损耗甚至可以超过通态电阻的损耗，而与通态电阻的大小与额定电流成反比不同，栅极电容往往随额定电流酌增加而增大，因此MOSFET的选用和频率的设计对这两种损耗的比例权衡是个值得关注的问题。

   另一方面，由于MOSFET的输入和输出端都存在电容，因此开关管的开关过程中，流过的电流和两端电压有交叉，这就形成了开关过程的损耗。要降低这个损耗，须设法使开关管导通的瞬间漏源间的电压或电流为零，这就要采用所谓的准谐振软开关技术。变压器设计不合理也会产生很大的损耗，如输入电流过大，这样会增加MOSFET的电流；漏感太大，会使漏极保护电路吸收的能耗增加等。