LED在固态照明领域得到了越来越广泛的采用，LED芯片占成本的主要部分，LED芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术，A1240A基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅发展到氧化锌、氮化镓等新材料。在短短几年内，借助于芯片结构、表面粗化处理和多量子阱结构设计在内的一系列技术改进，LED在光效方面不断突破，单位光通量价格也不断下降。

   提高光效还可以从提高有效光线的比例人手，薄膜芯片技术能够减少各侧面的光输出损耗，借助底部的反射面使97%以上的光线从正面输出，使得电能转换得到的光线绝大部分都是有效光线，不但显著提高LED的光效，还为透镜设计创造了优越的便利条件。

   在大型晶圆上面制造LED并取得较高的良率，可尽快降低成本。目前多数白光LED采用外延GaN的小英寸蓝宝石晶片，其生产存在良率不一致的问题，因此需要对颜色亮度、正向电压和其他产变量进行检测并根据结果分档，加上装配与封装步骤，LED成本就会升得更高。采用良率较高的外延MOCVD工艺通过严格控制温度、气流和材料成分，做出更大的晶圆，LED制造向6ino、8in及更大晶圆过渡。