与CCD相比，CMOS图像传感器具有以下优点：

   1)系统集成。CMOS图像传感器能在同一个芯片上集成各种信号和图像处理模块， MLF2012E8R2MT如运放器、A/D转换、数字彩色处理和数据压缩电路、标准TV和计算机I/O接口等，形成单片成像系统。

   2)功耗低。CMOS图像传感器只需单一电压供电，静态功耗几乎为零，其功耗仅相当于CCD的1/8，有利于延长便携式、机载或星载电子设备的使用时间。

   3)成像速度快。CCD采用串行连续扫描的工作方式，必须一次性读出整行或整列的图像，CMOS图像传感器可以在每个像素扫描的基础上同时进行信号放大。

   4)响应范围宽。CMOS图像传感芯片除了可惑应到可见光外，对红外等非可见光波也有反应。在890。980nm范围内，其灵敏度比CCD图像传感芯片的灵敏度要高出许多，并且随波长增加而衰减的梯度也较慢。目前设计制造出的对波长为1~ 3ym可见光都敏感的CMOS图像传感芯片，已在夜战和夜间监控上得到了广泛的应用。

   5)抗辐射能力强。由于CCD的像素的影响由MOS电容构成，电荷激发的量子效应易受辐射的影响，而CMOS图像传感器的像素由电二极管或光栅构成，抗辐射能力比CCD大十多倍。

   6)成本低。CMOS制造成本低，结构简单，成品率高。