光电效应又可以分成内光电效应与外光电效应。内光电效应是吸收外部光线中的能量后， MLF2012E120MT带电微粒仍在物体内部运动，只是使物体的导电性发生了较大变化的现象，它是半导体图像传感器的核心技术；外光电效应则是受外来光线中能量激发的微粒逃逸出物体表面，形成空间中的众多自由粒子的现象，真空摄像管、图像增强器等元器件就是根据这一原理工作。可以说，光电效应是图像检测的基础。

   CCD图像传感器

   CCD图像传感器于1969年在美国贝尔试验室研制成功，发展历程已40多年，以其成熟稳定的技术、清晰的图像，在高端数码品中具有优势，如图7 -2所示。这种传感器可分为线型( Linear)与面型(Area)两种，前者应用于影像扫描器及传机上，后者则主要应

用于数码相机( DSC)、摄录影机、监视摄影机等影像输入产品中。两种类型的组成单元都是电荷耦合器件（CCD器件）。

   图7 -2  CCD图像传感器