标准包装 90
类别 集成电路 (IC)
家庭 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列）
系列 Spartan®-3
LAB/CLB 数 1920
逻辑元件/单元数 17280
总 RAM 位数 442368
I/O 数 173
栅极数 1000000
电压 - 电源 1.14 V ~ 1.26 V
安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 100°C
封装/外壳 256-LBGA
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。
EDN China创新奖于2005年引入国内，以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设计上所取得的成就。今年，共有82家公司的144款产品角逐9个技术门类的奖项。EDN China的在线读者投票选出73款提名产品，再由技术专家和EDN高级编辑组成的评审团选出最终的获奖产品。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的-20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻仅为4.8mΩ。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的器件，该封装实现了更低的RDS(on)，同时0.75mm的标称高度比前一版本封装的高度薄28%，并保持相同的PCB布板样式。XC3S1000-4FTG256I通过使用新的PowerPAK 1212封装版本和Vishay Siliconix业内领先的P沟道TrenchFET® Gen III技术，Si7655DN实现了3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大导通电阻。这些指标比最接近的同档-20V器件低17%以上。Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在其电路里实现更低的压降，更有效地使用电能，并延长电池使用寿命，其小尺寸封装有助于节省宝贵的空间。
