制造商
STMicroelectronics
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 欧姆 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
60.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
