型号：RS7N200BHTB1 RS7N160BHTB1 RS7E200BGTB1
ROHM RS7系列功率MOSFET旨在为各种应用提供卓越的性能。这些MOSFET具有低导通电阻、高功耗和坚固的封装，
使其成为高效电源管理解决方案的理想选择。RS7E200BGTB1提供30V的漏极-源极电压和390A的连续漏极电流，
而RS7N200BHTB1和RS7N160BHTB1分别提供80V、230A和160A。所有三种型号均采用紧凑型DFN5060T8LSHAAE封装，
确保高效的热管理和节省空间的好处。这些MOSFET适用于广泛的应用，包括开关、电机驱动和DC/DC转换器，
并符合RoHS和无卤素标准，确保环保运行。
特征
电阻低
高功耗
紧凑型DFN5060T8LSHAAE封装
无铅镀层
符合RoHS标准
无卤素
100%Rg和UIS测试
高效率
稳健的热管理
适用于大电流应用
增强可靠性
表面贴装技术
工作温度范围宽：-55°C至+150°C
高速开关
低栅极电荷
应用
开关电源
电机驱动器
DC/DC转换器
电池管理系统
电源逆变器
太阳能系统
电动汽车
工业自动化
机器人学
电子消费品
电信设备
医疗器械
航空航天与国防
可再生能源系统
智能电网技术
