标准包装 70
类别 分立式导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET®
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 900V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 1.7A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.2 欧姆 @ 850mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 500pF @ 25V
功率 - 最大值 2.5W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
根据全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 分析， 2013年绝对是对 DRAM 产业具关键性的一年。
DRAMeXchange 指出，受惠于智慧型手机与平板电脑的热销，一线 DRAM 大厂纷纷转进行动式记忆体，导致标准型记忆体产出逐渐减少；再加上9月SK海力士(Hynix)无锡厂大火让4GB，模组合约均价由17美元上涨至今33美元，涨幅逼近一倍，各DRAM厂朝向全面获利的状态。
产业结构改变、寡占市场的格局形成，FQU2N90 都将为2014年DRAM产业带来新的契机。以下是 TrendForce 针对 DRAM 产业 2014年表现所提出的五大市场趋势预测：
1、2014年营收预估续成长12%，为金融风暴后连续第二年成长
回顾2013年，由于DRAM产业结构性的改变，如寡占市场的形成，台系DRAM厂退出市场，再加上下半年SK海力士无锡厂大火影响，2013年DRAM营收规模来到352亿美元，年成长达32.5%。
放眼2014年，由于进入20nm制程后开发难度变高，产出位元年成长趋缓，因此平均销售单价将随成本结构改善而逐步下降；各家DRAM厂不再追求制程上的极致，策略转向更灵活调配产品与产能，TrendForce预估明年的DRAM产值将达395亿美元，年成长为12%，将是自2009年金融风暴以来供应商在生产方面最有秩序的一年。
2、2013年美光正式并购尔必达，2014年寡占市场将让DRAM产业朝向稳定获利格局
美光(Micron)于2013年8月正式整并尔必达(Elpida)后，其合并营收规模与SK海力士已在伯仲之间，再加计三星(Samsung)的市占率，三大集团的DRAM市占率已超过决定性的90%，不光市场呈现大者恒大的趋势，也确立DRAM市场寡占型态。
TrendForce表示，以上三大集团各自拥有DRAM与NAND Flash的技术，对于产品组合将可以更灵活的调配运用，在价格走势上将更倾向稳健的寡占市场格局，持续获利的趋势将延续至2014年。
3、行动式记忆体正式跃升全球市场主流规格，标准型记忆体比重持续降低
受惠于智慧型手机与平板电脑的热卖，DRAM大厂纷纷转进行动式记忆体领域，标准型记忆体产出受到排挤而产出逐渐减少。根据TrendForce的预估，2014年行动式记忆体将占全球市场的36%，一举超越标准型记忆体的30%，跃升成为全球DRAM市场主流产品。
再者，由行动式记忆体做观察，2014年 LPDDR3 的比重将在智慧型手机与平板电脑快速增加，更将进军高阶 Ultralike市场，省电机制更优于一般传统 DDR3 ，使得运作时间大幅延长。受到需求端的牵引，TrendForce预估 LPDDR3 产出量预计在2014年下半年将超越LPDDR2，成为行动式记忆体主流规格。
4、2Xnm制程将成2014年DRAM市场主力，唯设计难度增高制程转进将趋缓
当时序进入2013年下半年，各DRAM厂在2Xnm制程转进下着实面临不少困难。受到物理条件限制，即使如三星或是SK海力士都曾面临到良率无法有效提升或是量产计划递延的窘境。后续进入25nm以下制程，由于需要购入EUV机台，资本支出将更甚浸润式机台(immersion scanner)。
目前EUV机台的开发尚未达到可大量生产的阶段，DRAM厂对于25nm制程以下至今未有明确的时间点规划。TrendForce预估2014年DRAM厂仍将以2Xnm市场主流，但制程转进将因设计难度增高而趋缓。
5、DDR4将在2014年下半年导入，初期将以伺服器用记忆体为主要应用
由于需求端的生态圈大幅改变，加上可携式设备的崛起，记忆体的应用已不像往年壁垒分明；不光行动式记忆体进军笔电领域，低价平板也因成本考量使用标准型记忆体。但在伺服器记忆体领域，除了在稳定性的要求外，近期更着墨于低电压与速度兼顾。
根据JEDEC的规范蓝图，DDR4电压值仅有1.2V，未来速度更可高达3200Mhz。一线DRAM大厂将在2014年导入量产，初期将以伺服器用记忆体为主要应用，之后再陆续推广至PC市场中，预计于2015年取代DDR3，成为市场主流。
